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19MT050XFAPBF

更新时间： 2024-02-18 08:36:10

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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10页	215K
描述
'Full Bridge' FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A

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19MT050XFAPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-P16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.47	雪崩能效等级（Eas）：	493 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	31 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-P16	元件数量：	4
端子数量：	16	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	124 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

19MT050XFAPBF 数据手册

19MT050XFAPbF

Vishay Semiconductors

"Full Bridge" FREDFET MTP (Power MOSFET), 31 A

FEATURES

• Low on-resistance

• High performance optimized built-in fast

recovery diodes

• Fully characterized capacitance and avalanche voltage

and current

• Al₂O₃DBC

• Very low stray inductance design for high speed operation

• UL approved file E78996

MTP

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

BENEFITS

• Low gate charge Q_gresults in simple drive requirement

• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

• Low t_rrand soft diode reverse recovery

• Optimized for welding, UPS and SMPS applications

• Outstanding ZVS and high frequency operation

• Direct mounting to heatsink

PRODUCT SUMMARY

V_DSS

500 V

R_DS(on)

0.25 Ω

I_D

31 A

Modules - MOSFET

MTP

Type

Package

• PCB solderable terminals

• Very low junction to case thermal resistance

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

UNITS

T_C= 25 °C

Continuous drain current at V_GS10 V

Pulsed drain current

I_D

T_C= 100 °C

124

(1)

I_DM

T_C= 25 °C

1140

Maximum power dissipation

P_D

_C= 100 °C

456

Gate to source voltage

V_GS

V_ISOL

dV/dt ⁽²⁾

T_J

RMS isolation voltage

Any terminal to case, t = 1 min

2500

Peak diode recovery dV/dt

Operating junction temperature range

Operating storage temperature range

V/ns

°C

- 55 to + 150

- 55 to + 125

T_Stg

°C

Notes

(1)

Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

I_SD≤ 31 A, dI/dt ≤ 340 A/μs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ 150 °C

(2)

Document Number: 94546

Revision: 12-May-10

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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

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