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VFT6045CBP-M3/4W

更新时间： 2024-11-15 21:00:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN

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VFT6045CBP-M3/4W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ITO-220AB, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.56
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.64 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：320 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：3000 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

VFT6045CBP-M3/4W 数据手册

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New Product  
VFT6045CBP  
Vishay General Semiconductor  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
for PV Solar Cell Bypass Protection  
Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A  
FEATURES  
TMBS®  
ITO-220AB  
• Trench MOS Schottky technology  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per  
JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
3
2
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition  
1
VFT6045CBP  
PIN 1  
PIN 2  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in solar cell junction box as a bypass diode for  
protection, using DC forward current without reverse bias.  
PIN 3  
MECHANICAL DATA  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Case: ITO-220AB  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
IF(AV)  
2 x 30 A  
45 V  
VRRM  
Base P/N-M3  
- halogen-free, RoHS compliant, and  
commercial grade  
IFSM  
320 A  
0.47 V  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
VF at IF = 30 A  
TOP max.  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VFT6045CBP  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
45  
60  
30  
V
per device  
per diode  
(1)  
Maximum average forward rectified current (fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
320  
Isolation voltage from termal to heatsink, t = 1 min  
Operating junction and storage temperature range  
VAC  
1500  
V
TOP, TSTG  
- 40 to + 150  
°C  
Junction temperature in DC forward current  
without reverse bias, t ≤ 1 h  
(2)  
TJ  
≤ 200  
°C  
Notes  
(1)  
With heatsink  
(2)  
Meets the requirements of IEC 61215 ed. 2 bypass diode thermal test  
Document Number: 89370  
Revision: 03-Nov-10  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与VFT6045CBP-M3/4W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VFT6045CBP-M3-4W VISHAY

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 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection
VFT6045C-M3 VISHAY

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 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT6045C-M3/4W VISHAY

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 		DIODE 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
VFT6045C-M3_15 VISHAY

获取价格

 		Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT645CBP VISHAY

获取价格

 		Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT740A503-8.000MHZ CTS

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