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VFT6045C-M3/4W

更新时间： 2024-11-15 19:52:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
DIODE 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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VFT6045C-M3/4W 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.14
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.56 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	320 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	45 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

VFT6045C-M3/4W 数据手册

VFT6045C-M3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low V_F= 0.33 V at I_F= 10 A

FEATURES

TMBS^®

ITO-220AB

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per

JESD 22-B106

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

VFT6045C

TYPICAL APPLICATIONS

PIN 1

PIN 3

PIN 2

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: ITO-220AB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

2 x 30 A

45 V

V_RRM

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

I_FSM

320 A

commercial grade

V_Fat I_F= 30 A

T_Jmax.

Package

0.47 V

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

150 °C

ITO-220AB

Diode variation

Dual common cathode

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VFT6045C

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

per device

per diode

Maximum average forward rectified current

(fig. 1)

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

320

Isolation voltage from termal to heatsink t = 1 min

Operating junction and storage temperature range

V_AC

1500

T_J, T_STG

-40 to +150

°C

Revision: 22-Nov-13

Document Number: 89357

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
VFT6045C-M3_15	VISHAY	获取价格	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT645CBP	VISHAY	获取价格	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
VFT740A503-8.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740AV3-8.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740B3-8.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740B50V5-8.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740C305-100.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740C50V3-100.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740C5-8.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,
VFT740CV3-100.000MHZ	CTS	获取价格	Oscillator,

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