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VESD05A8A-HNH-GS08

更新时间： 2024-11-14 22:53:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
8页 141K
描述
TVS DIODE 5V 13V LLP1713-9L

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VESD05A8A-HNH-GS08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-N8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.76其他特性：LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：8 V最小击穿电压：6 V
击穿电压标称值：7 V外壳连接：ANODE
最大钳位电压：13 V配置：COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N8湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：65 W元件数量：8
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40

VESD05A8A-HNH-GS08 数据手册

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VESD05A8A-HNH  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
8-Line ESD Protection Diode Array in LLP1713-9L  
FEATURES  
1
8
• Ultra compact LLP1713-9L package  
9
• Low package profile < 0.6 mm  
2
3
7
• 8-line ESD protection  
6
• Low leakage current IR < 1 μA  
4
5
• Low load capacitance CD = 30 pF  
20522  
20521  
• ESD immunity acc. IEC 61000-4-2  
25 kV contact discharge  
30 kV air discharge  
MARKING (example only)  
• Working voltage range VRWM = 5 V  
YXX  
• e4 - precious metal (e.g. Ag, Au, NiPd, NiPdAu) (no Sn)  
20719  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Dot = pin 1 marking  
Y = type code (see table below)  
XX = date code  
LINKS TO ADDITIONAL RESOURCES  
3
D
3
D
3D Models  
ORDERING INFORMATION  
TAPED UNITS PER REEL  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
(8 mm TAPE ON 7" REEL)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
VESD05A8A-HNH  
VESD05A8A-HNH-GS08  
3000  
15 000  
PACKAGE DATA  
PACKAGE TYPE  
MOLDING COMPOUND  
MOISTURE  
DEVICE NAME  
WEIGHT  
SOLDERING CONDITIONS  
NAME  
VESD05A8A-HNH LLP1713-9L  
CODE  
FLAMMABILITY RATING SENSITIVITY LEVEL  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
B
3.7 mg  
UL 94 V-0  
Peak temperature max. 260 °C  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS VESD05A8A-HNH  
RATING  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BiAs-mode: each input (pin 1 to pin 8) to ground (pin 9)  
acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 μs; single shot  
BiSy-mode: each input (pin 1 to pin 8) to any other input pin.  
Pin 9 not connected. Acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 μs/single shot  
IPPM  
5
A
Peak pulse current  
IPPM  
PPP  
2.5  
65  
33  
25  
30  
A
BiAs-mode: each input (pin 1 to pin 8) to ground (pin 9)  
acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 μs; single shot  
BiSy-mode: each input (pin 1 to pin 8) to any other input pin  
W
W
kV  
kV  
Peak pulse power  
ESD immunity  
PPP  
Pin 9 not connected. Acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 μs/single shot  
Contact discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
BiAs-mode: each input (pin 1 to pin 8) to ground (pin 9)  
Air discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
BiAs-mode: each input (pin 1 to pin 8) to ground (pin 9)  
Contact discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
BiSy-mode: each input (pin 1 to pin 8) to any other input pin.  
Pin 9 not connected.  
Air discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
BiSy-mode: each input (pin 1 to pin 8) to any other input pin.  
Pin 9 not connected.  
VESD  
VESD  
VESD  
12  
12  
kV  
kV  
VESD  
Operating temperature  
Storage temperature  
Junction temperature  
TJ  
TSTG  
-40 to +125  
-55 to +150  
°C  
°C  
Rev. 1.9, 10-Dec-2020  
Document Number: 81629  
1
For technical questions, contact: ESDprotection@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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