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VBUS051BD-HD1 PDF预览

VBUS051BD-HD1

更新时间： 2024-01-12 13:35:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 146K
描述
Low Capacitance, Single-Line ESD-Protection Diode

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VBUS051BD-HD1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-N2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.77最大击穿电压：8.7 V
最小击穿电压：6.9 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-N2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

VBUS051BD-HD1 数据手册

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VBUS051BD-HD1  
Vishay Semiconductors  
Low Capacitance, Single-Line ESD-Protection Diode  
Features  
• Ultra compact LLP1006-2L package  
• Low package height < 0.4 mm  
• 1-line ESD-protection  
e4  
• Low leakage current < 0.1 µA  
2
1
• Low load capacitance C = 1.3 pF  
D
• ESD-protection to IEC 61000-4-2  
15 kV contact discharge  
15 kV air discharge  
20856  
20855  
• High surge current acc. IEC61000-4-5 I > 3 A  
PP  
• Soldering can be checked by standard vision  
inspection. No X-ray necessary  
• Lead (Pb)-free component  
• Pin plating NiPdAu (e4) no whisker growth  
• "Green" molding compound  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Marking (example only)  
dot = Cathode marking  
X = Date code  
Y = Type code (see table below)  
XY  
21121  
Ordering Information  
Taped units per reel  
(8 mm tape on 7" reel)  
Device name  
Ordering code  
Minimum order quantity  
8000  
VBUS051BD-HD1  
VBUS051BD-HD1-GS08  
8000  
Package Data  
Package  
name  
Type  
code  
Molding compound  
flammability rating  
Device name  
Weight  
Moisture sensitivity level  
Soldering conditions  
MSL level 1  
(according J-STD-020)  
VBUS051BD-HD1 LLP1006-2L  
A
0.72 mg  
UL 94 V-0  
260 °C/10 s at terminals  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Test conditions  
Symbol  
IPPM  
Value  
Unit  
A
Acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 µs; single shot  
Acc. IEC 61000-4-5; tP = 8/20 µs; single shot  
Contact discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
Air discharge acc. IEC 61000-4-2; 10 pulses  
Junction temperature  
Peak pulse current  
Peak pulse power  
3
PPP  
45  
15  
W
VESD  
VESD  
TJ  
kV  
kV  
°C  
°C  
ESD immunity  
15  
Operating temperature  
Storage temperature  
- 40 to + 125  
- 40 to + 150  
TSTG  
Document Number 81785  
Rev. 1.2, 16-Apr-08  
www.vishay.com  
1
For technical support, please contact: ESD-Protection@vishay.com  
123456

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