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V62/21608

更新时间： 2024-11-19 11:14:51

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德州仪器 - TI		控制器二极管
页数	文件大小	规格书
31页	2517K
描述
增强型低 IQ 理想二极管控制器 \| DDF \| 8 \| -50 to 125

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V62/21608 数据手册

LM74700-EP

ZHCSMT1 –SEPTEMBER 2021

LM74700-EP 低Iq 理想二极管控制器

1 特性

3 说明

• 3.2V 至65V 输入范围（3.9V 启动）

• -65V 反向电压额定值

• 适用于外部N 沟道MOSFET 的电荷泵

• 20mV 阳极至阴极正向压降调节

• 使能引脚特性

• 1µA 关断电流（EN = 低电平）

• 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）

• 2.3A 峰值栅极关断电流

• 快速响应反向电流阻断：

小于0.75µs

LM74700-EP 是一款理想二极管控制器，与外部 N 沟

道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用

20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的

宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例

如：12V、24V 和 48V 系统）的控制。该器件可耐受

低至–65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至

20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳

关机，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (<

0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在电源故障和

输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。

• 采用合适的TVS 二极管，符合汽车ISO7637 瞬态

要求

• 采用8 引脚SOT-23 封装2.90mm × 1.60mm

• 军用级温度范围（–55°C 至+125°C）

• 制造、组装和测试一体化基地

• 延长了产品生命周期

• 延长了产品变更通知

• 产品可追溯性

LM74700-EP 控制器可提供适用于外部 N 沟道

MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-EP 的高电

压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设

计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约

1µA 的电流。LM74700-EP 的完全额定工作温度范围

为T_A= –55°C 至+125°C。

器件信息⁽¹⁾

2 应用

封装尺寸（标称值）

器件型号

封装

• 航空航天与国防

• 医疗成像

LM74700-EP

SOT-23 (8)

2.90mm × 1.60mm

• 用于冗余电源的有源ORing

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

V_OUT

V_BATT

TVS

V_OUT

V_GATE

V_BATT

Voltage

Regulator

GATE CATHODE

LM74700

ANODE

VCAP

GND

ON OFF

I_BATT

典型应用原理图

输入短路期间的反向电流阻断

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SNOSDD6

12 3 4 5 6 7...31

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