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V62/22609-01XE

更新时间: 2024-11-05 11:11:51
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德州仪器 - TI 开关
页数 文件大小 规格书
29页 1480K
描述
抗辐射、1.6V 至 5.5V 输入、1.25A 负载开关 | DCK | 6

V62/22609-01XE 数据手册

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TPS7H2221-SEP  
ZHCSPJ5A AUGUST 2022 REVISED OCTOBER 2022  
TPS7H2221-SEP 抗辐射、5.5V1.25A115mΩ 负载开关  
1 特性  
3 说明  
提供供应商项目图VID V62/22609  
电离辐射总剂(TID) 30krad(Si)  
TPS7H2221-SEP 器件是一款压摆率可控的小型单通  
道负载开关。此器件包含一个可在 1.6V 5.5V 输入  
电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET并且支持 1.25A  
的最大持续电流。  
– 每个晶圆批次TID RLAT辐射批次验收测  
):20krad (Si)  
确定了单粒子效(SEE)  
开关导通状态由数字输入控制此输入可与低压控制信  
号直接连接。首次加电时此器件使用智能下拉电阻来  
保持 ON 引脚不悬空直到系统定序完成。按计划将  
该引脚驱动为高电(VON>VIH) 之后便会断开智能下  
拉电阻以防止不必要的功率损耗。  
– 单粒子闩(SEL)、单粒子烧(SEB) 和单粒子  
穿(SEGR) 对于有效线性能量传(LETEFF  
的抗扰度43MeVcm2/mg。  
– 单粒子瞬(SET) 和单粒子功能中(SEFI) 对  
LETEFF 的额定抗扰度43MeVcm2/mg。  
• 输入电压范(VIN)1.6 5.5V  
)
TPS7H2221-SEP 负载开关也具有自保护特性因此  
可保护自己免受输出短路事件的影响。  
• 建议持续电(IMAX)1.25A  
• 导通电(RON  
)
TPS7H2221-SEP 采用标准 SC-70 封装工作环境温  
度范围-55°C 125°C。  
VIN = 5V 时典型值116mΩ  
VIN = 3.3V 时典型值115mΩ  
VIN = 1.8V 时典型值133mΩ  
• 输出短路保(ISC)3A典型值)  
• 低功耗:  
器件型号(1)  
(2)  
等级  
20krad(Si)  
RLAT  
特征值为  
SC-70 (6)  
2.10mm × 2.00mm  
= 6.9mg  
TPS7H2221MDCKTSEP  
TPS7H2221EVM  
30krad(Si)  
– 导通状(IQ)8.3µA典型值)  
– 关闭状(ISD)3nA典型值)  
EVM  
评估板  
• 可限制浪涌电流的慢速导通时(tON):  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
(2) 尺寸和质量为标称值。  
5V tON3.61mV/μs 1.68ms  
3.3V tON2.91mV/μs 1.51ms  
1.8V tON2.15mV/μs 1.32ms  
• 可调节输出放电和下降时间:  
TPS7H2221-SEP  
1.6 to 5.5 V  
1.6 to 5.5 V @ 1.25 A  
IN  
OUT  
RQOD  
VIN = 3.3V 时内QOD 电阻= 9.2Ω典型值)  
• 增强型航天塑(SEP)  
+
H
VIN  
ON  
GND  
QOD  
CIN  
COUT  
ROUT  
L
– 受控基线  
– 金键合线  
NiPdAu 铅涂层  
– 一个组装和测试基地  
– 一个制造基地  
– 军用级-55°C 125°C温度范围  
– 延长了产品生命周期  
– 延长了产品变更通(PCN)  
– 产品可追溯性  
典型应用原理图  
– 采用增强型塑封实现低释气  
2 应用  
• 航天卫星电源管理和配电  
• 抗辐射电源树应用  
• 为控制器上电和断电启用开关电源轨  
卫星电力系(EPS)  
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English Data Sheet: SLVSGP1  
 
 
 
 
 

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