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V62/21610-01XE

更新时间： 2024-11-19 11:12:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
40页 2028K
描述
采用航天增强型塑料的抗辐射、四通道、3/1 数字隔离器 | DBQ | 16

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V62/21610-01XE 数据手册

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ISOS141-SEP  
ZHCSNI5 –MAY 2021  
ISOS141-SEP 抗辐射高速四通道数字隔离器  
1 特性  
3 说明  
• 抗辐射  
ISOS141-SEP 抗辐射器件是采用小型 16 引脚 QSOP  
封装的高性能四通道数字隔离器。每条隔离通道的逻辑  
输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅  
相隔离。该器件具有 100Mbps 的高数据速率、10.7ns  
的低传播延迟和 4ns 的通道间严格偏移，支持近地轨  
道(LEO) 航天应用。ISOS141-SEP 器件具有三个正向  
通道和一个反向通道，如果失去输入功率或信号，默认  
输出为低电平。使能引脚可用于将各输出置于高阻抗，  
适用于多主驱动应用，还可降低功耗。  
– 电离辐射总剂量(TID) 特征值（无ELDRS）=  
30krad(Si)  
– TID RLAT/RHA = 30krad(Si)  
– 单粒子锁定(SEL) 在125°C 下对LET 的抗扰度  
= 43MeV⋅cm2/mg  
– 单粒子绝缘击穿(SEDR) 在500VDC 下的抗扰度  
(43MeV⋅cm2/mg)  
• 增强型航天塑料（航天EP）  
– 符合NASA ASTM E595 释气规格要求  
– 供应商项目图(VID) V62/21610  
– 军用级温度范围（-55°C 至125°C）  
– 同一晶圆制造场所  
ISOS141-SEP 在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O  
时，具有高电磁抗扰度和低辐射、低功耗特性。该器件  
具有 100kV/µs 的高共模瞬态抗扰度，可轻松缓解系统  
级 ESD、EFT 和浪涌问题，还通过创新的芯片设计简  
化了辐射方面的合规性。  
– 同一组装和测试场所  
– 金键合线，NiPdAu 铅涂层  
– 晶圆批次可追溯性  
– 延长了产品生命周期  
器件信息  
封装  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
ISOS141FDBQSEP  
– 延长了产品变更通知周期  
• 600VRMS 连续工作电压  
• 节6.7：  
30krad(Si) RLAT/RHA  
16 引线  
4.90mm × 3.90mm  
ISOS141FDBQTSEP  
30krad(Si) RLAT/RHA  
QSOP (DBQ)  
– DIN VDE V 0884-11:2017-01  
– UL 1577 组件认证计划  
• 100 Mbps 数据速率  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
V
V
CC1  
CC2  
• 宽电源电压范围：2.25V 至5.5V  
• 2.25V 至5.5V 电平转换  
• 默认输出低  
• 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA  
• 低传播延迟：典型值为10.7ns（5V 电源供电时）  
• 通道间偏斜小：最大4ns（5V 电源供电时）  
• CMTI 典型值为±100kV/μs  
GND1  
INA  
15 GND2  
14 OUTA  
13 OUTB  
12 OUTC  
11 IND  
10 EN2  
INB  
INC  
OUTD  
EN1  
• 系统级ESD、EFT、浪涌和磁抗扰度  
• 小型QSOP (DBQ-16) 封装  
GND1  
9 GND2  
2 应用  
VCCI = 输入电源，VCC2 = 输出电源  
GND1 = 输入接地，GND2 = 输出接地  
• 近地轨道(LEO) 航天应用  
• 信号隔离（RS-422、RS-485、CAN、SPI）  
• 栅极驱动器隔离或GaN 直流/直流转换器的隔离式  
反馈  
简化原理图  
• 航天级隔离式直流/直流模块  
• 航天器电池管理系统(BMS)  
• 卫星推进电源处理单元(PPU)  
• 发射器和着陆器系统  
• 通信有效载荷  
• 雷达成像有效载荷  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLLSFN1  
 
 
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