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V61C16G45X

更新时间: 2024-02-12 06:14:09
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 164K
描述
x8 SRAM

V61C16G45X 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC28,.45SQReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XQCC-N28
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28,.45SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

V61C16G45X 数据手册

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