5秒后页面跳转
V61C16P55I PDF预览

V61C16P55I

更新时间: 2024-01-03 05:41:41
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 164K
描述
x8 SRAM

V61C16P55I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

V61C16P55I 数据手册

 浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V61C16P55I的Datasheet PDF文件第7页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与V61C16P55I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
V61C16P55L ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P55LI ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P55S ETC

获取价格

V61C16 FAMILY HIGH PERFORMANCE LOW POWER 2k x 8 BIT CMOS STATIC RAM
V61C16P70 ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P70I ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P70L ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P70LI ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16P70S ETC

获取价格

V61C16 FAMILY HIGH PERFORMANCE LOW POWER 2k x 8 BIT CMOS STATIC RAM
V61C16S25 ETC

获取价格

x8 SRAM
V61C16S25L ETC

获取价格

x8 SRAM