是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.000002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.08 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V61C16S45S | ETC |
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V61C16 FAMILY HIGH PERFORMANCE LOW POWER 2k x 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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V61C16S55 | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S55I | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S55L | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S55LI | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S55S | ETC |
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V61C16 FAMILY HIGH PERFORMANCE LOW POWER 2k x 8 BIT CMOS STATIC RAM |
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V61C16S70 | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S70I | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S70L | ETC |
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x8 SRAM |
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V61C16S70LI | ETC |
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x8 SRAM |
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