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V3PM6-M3/I

更新时间： 2024-01-19 12:19:02

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威世 - VISHAY		功效瞄准线测试光电二极管
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5页	115K
描述
Surface-Mount TMBSÂ® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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V3PM6-M3/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.63 V	JEDEC-95代码：	DO-220AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	2.4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	200 µA	反向测试电压：	60 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

V3PM6-M3/I 数据手册

V3PM6

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Surface-Mount TMBS^®(Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES

• Low profile package

eSMP^®Series

Available

• Trench MOS Schottky technology

• Low power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

SMP (DO-220AA)

- Automotive ordering code; base P/NHM3

Cathode

Anode

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESIGN SUPPORT TOOLS AVAILABLE

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency inverters,

freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

3D Models

PRIMARY CHARACTERISTICS

MECHANICAL DATA

Case: SMP (DO-220AA)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

I_F(AV)

3.0 A

60 V

V_RRM

Base P/N-M3

commercial grade

Base P/NHM3

AEC-Q101 qualified

halogen-free, RoHS-compliant, and

I_FSM

80 A

V_Fat I_F= 3.0 A

T_Jmax.

0.47 V

175 °C

halogen-free, RoHS-compliant, and

Package

SMP (DO-220AA)

Single

Terminals: matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HM3 suffix

Circuit configuration

meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V3PM6

3M6

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

(1)

I_F(AV)

Maximum DC forward current

(2)

I_F(AV)

2.4

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

(3)

Operating junction and storage temperature range

T_J

-40 to +175

-55 to +175

°C

T_STG

Notes

(1)

(2)

(3)

Mounted on 10 mm x 10 mm PCB pad area

Free air, mounted on recommended copper pad area

The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction-to-ambient: dP_D/dT_J< 1/R_JA

Revision: 14-Jun-2019

Document Number: 87464

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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