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V3PM6-M3/I

更新时间： 2024-02-11 06:16:37

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威世 - VISHAY		功效瞄准线测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	115K
描述
Surface-Mount TMBSÂ® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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V3PM6-M3/I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.63 V	JEDEC-95代码：	DO-220AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	2.4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	200 µA	反向测试电压：	60 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

V3PM6-M3/I 数据手册

V3PM6

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)

SMP (DO-220AA)

0.012 (0.30) REF.

Cathode Band

0.053 (1.35)

0.041 (1.05)

0.086 (2.18)

0.074 (1.88)

0.036 (0.91)

0.024 (0.61)

0.142 (3.61)

0.126 (3.19)

0.158 (4.00)

0.146 (3.70)

0.103 (2.60)

0.087 (2.20)

0.032 (0.80)

0.016 (0.40)

0.025 0.030

(0.635) (0.762)

0.105

(2.67)

0.013 (0.35)

0.004 (0.10)

0.045 (1.15)

0.033 (0.85)

0.100

(2.54)

0.050

(1.27)

0.012 (0.30) 0.018 (0.45)

0.000 (0.00) 0.006 (0.15)

Revision: 14-Jun-2019

Document Number: 87464

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

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