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V23990-P848-C59-PM

更新时间： 2024-02-09 03:25:50
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VINCOTECH 栅
页数 文件大小 规格书
22页 773K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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V23990-P848-C59-PM 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

V23990-P848-C59-PM 数据手册

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V23990-P848-A58/A59/C58/C59-PM  
preliminary datasheet  
flowPIM 2 3rd  
1200V/4A  
Features  
flow0 Housing  
● 2 Clips housing in 12 and 17mm height  
● Trench Fieldstop Technology IGBT4  
● Optional w/o BRC  
Target Applications  
● Industrial Drives  
Schematics  
● Embedded Generation  
Types  
● V23990-P848-A58-PM 12mm height  
● V23990-P848-A59-PM 17mm height  
● V23990-P848-C58-PM 12mm height; w/o BRC  
● V23990-P848-C59-PM 17mm height; w/o BRC  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Input Rectifier Diode  
Repetitive peak reverse voltage  
Forward current per diode  
Surge forward current  
VRRM  
IFAV  
1600  
30  
V
A
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
DC current  
tp=10ms  
IFSM  
370  
Tj=25°C  
I2t  
A2s  
W
I2t-value  
360  
42  
Th=80°C  
Tc=80°C  
Ptot  
Tj=Tjmax  
Power dissipation per Diode  
Maximum Junction Temperature  
Tjmax  
°C  
Inverter Transistor  
VCE  
IC  
ICpulse  
Ptot  
Collector-emitter break down voltage  
DC collector current  
1200  
9
V
A
Th=80°C  
Tc=80°C  
Th=80°C  
Tc=80°C  
Th=80°C  
Tc=80°C  
Tj=Tjmax  
12  
38  
tp limited by Tjmax  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak collector current  
Power dissipation per IGBT  
Gate-emitter peak voltage  
Short circuit ratings  
A
W
V
VGE  
±20  
tSC  
Tj≤150°C  
10  
μs  
VCC  
VGE=15V  
800  
V
Tjmax  
Maximum Junction Temperature  
175  
°C  
copyright Vincotech  
1
Revision: 1  
1234567...22

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