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V23990-K209-A-/0B/-PM

更新时间: 2024-02-01 08:14:17
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V23990-K209-A-/0B/-PM 数据手册

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V23990-K209-A-PM  
datasheet  
Maximum Ratings  
Tj=25°C, unless otherwise specified  
Condition  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
D1,D2,D3,D4,D5,D6,D7  
Repetitive peak reverse voltage  
DC forward current  
VRRM  
IF  
IFRM  
Ptot  
1200  
12  
V
A
Th=80°C  
Th=80°C  
Tj=Tjmax  
tp limited by Tjmax  
Tj=Tjmax  
Repetitive peak forward current  
Power dissipation  
29  
A
28  
W
°C  
Tjmax  
Maximum Junction Temperature  
150  
Thermal Properties  
Tstg  
Top  
Storage temperature  
-40…+125  
°C  
°C  
Operation temperature under switching condition  
-40…+(Tjmax - 25)  
Insulation Properties  
Insulation voltage  
Creepage distance  
Clearance  
Vis  
t=2s  
DC voltage  
4000  
V
min 12,7  
min 12,7  
mm  
mm  
copyright Vincotech  
2
Revision: 3  

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V23990-K209-A-/1A/-PM VINCOTECH Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

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