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UZTX953 PDF预览

UZTX953

更新时间： 2024-10-30 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN

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UZTX953 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.16最大集电极电流 (IC)：3.5 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PSIP-W3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzVCEsat-Max：0.33 V
Base Number Matches：1

UZTX953 数据手册

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PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER  
HIGH CURRENT TRANSISTOR  
ISSUE 4 – JUNE 94  
ZTX953  
FEATURES  
*
*
*
*
*
3.5 Amps continuous current  
Up to 10 Amps peak current  
Very low saturation voltage  
Excellent gain up to 10 Amps  
Spice model available  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-140  
-100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-6  
V
Peak Pulse Current  
-10  
A
Continuous Collector Current  
Practical Power Dissipation*  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-3.5  
A
Ptotp  
Ptot  
1.58  
W
W
°C  
1.2  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-140  
-140  
-100  
-6  
-170  
-170  
-120  
-8  
V
V
V
V
IC=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltag  
IC=-1µA, RB ≤1KΩ  
IC=-10mA*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
IE=-100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-100V  
VCB=-100V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1KΩ  
-50  
-1  
nA  
µA  
VCB=-100V  
VCB=-100V, Tamb=100°C  
IEBO  
-10  
nA  
VEB=-6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
-20  
-80  
-140  
-250  
-50  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=-100mA, IB=-10mA*  
IC=-1A, IB=-100mA*  
IC=-2A, IB=-200mA*  
IC=-4A, IB=-400mA*  
-100  
-170  
-330  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
-960  
-1100 mV  
IC=-4A, IB=-400mA*  
3-318  
123

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