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UZUMT618 PDF预览

UZUMT618

更新时间： 2024-11-06 15:56:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.25A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-323, 3 PIN

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UZUMT618 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.39
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.25 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：210 MHzBase Number Matches：1

UZUMT618 数据手册

 浏览型号UZUMT618的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UZUMT618的Datasheet PDF文件第3页 
Super323 SOT323 NPN SILICON  
ZUMT618  
POWER(SWITCHING) TRANSISTOR  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 1998  
FEATURES  
*
*
*
*
*
500mW POWER DISSIPATION  
IC CONT 1.25A  
3A Peak Pulse Current  
Excellent HFE Characteristics Up to 3A (pulsed)  
Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)  
APPLICATIONS  
*
*
*
Corded telecoms.  
Boost functions in DC-DC converters  
Motor driver functions  
DEVICE TYPE  
ZUMT618  
COMPLEMENT  
ZUMT718  
PARTMARKING  
T62  
RCE(sat)  
125mΩ at1.25A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
20  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
20  
V
5
V
4
A
IC  
1.25  
500  
A
IB  
mA  
mW  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
385 †  
500 ‡  
Operating and Storage Temperature Tj:Tstg  
Range  
-55 to +150  
°C  
†
‡
Recommended Ptot calculated using FR4 measuring 10 x 8 x 0.6mm (still air).  
Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4  
size 25x25x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by other suppliers.  
123

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