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UZUMT619

更新时间： 2024-09-16 19:54:23
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捷特科 - ZETEX /
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-323, 3 PIN

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UZUMT619 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SOT-323, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.28最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：215 MHz
Base Number Matches：1

UZUMT619 数据手册

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Super323 SOT323 NPN SILICON POWER  
ZUMT619  
(SWITCHING) TRANSISTOR  
ISSUE 1 - SEPTEMBER 1998  
FEATURES  
*
*
*
*
*
500mW POWER DISSIPATION  
IC CONT 1A  
2A Peak Pulse Current  
Excellent HFE Characteristics Up To 2A (pulsed)  
Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)  
APPLICATIONS  
*
*
LCD backlighting inverter circuits  
Boost functions in DC-DC converters  
DEVICE TYPE  
ZUMT619  
COMPLEMENT  
ZUMT720  
PARTMARKING  
T63  
RCE(sat)  
160mΩ at 1A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
50  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
50  
V
5
V
2
A
IC  
1.0  
200  
A
IB  
mA  
mW  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
385 †  
500 ‡  
Operating and Storage Temperature Tj:Tstg  
Range  
-55 to +150  
°C  
†
‡
Recommended Ptot calculated using FR4 measuring 10 x 8 x 0.6mm (still air).  
Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on FR4  
size 25x25x0.6mm and using comparable measurement methods adopted by other suppliers.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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