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UZTX1049A

更新时间： 2024-11-04 15:56:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

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UZTX1049A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.45
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	35
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
Base Number Matches：	1

UZTX1049A 数据手册

ZTX1049A

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

FEATURES

• V_CEV= 80V

• Very low saturation voltages

• High gain

• 20 amps pulse current

APPLICATIONS

• LCD backlight converters

E-Line

• Emergency lighting

• DC-DC converters

PINOUT

SIDE VIEW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

CBO

CEO

EBO

Continuous Collector Current

Base Current

500

°C

Power Dissipation at T

=25°C

tot

amb

Operating and Storage Temperature

Range

T :T

-55 to +200

stg

ISSUE 3 - JUNE 2007

SEMICONDUCTORS

12 3 4 5 6

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