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UZTX1151A

更新时间： 2024-11-04 21:15:23

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

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UZTX1151A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.53	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	145 MHz
Base Number Matches：	1

UZTX1151A 数据手册

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ZTX1151A

ISSUE 1 - JANUARY 1997

FEATURES

V_CEO= -40V

3 Amp Continuous Current

5 Amp Pulse Current

Low Saturation voltage

High Gain

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

-45

-40

-5

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

-5

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

-3

I_B

-500

Power Dissipation at T_amb=25°C

P_tot

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

12 3 4

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