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UZTX451 PDF预览

UZTX451

更新时间： 2024-11-04 20:06:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, E-LINE PACKAGE-3

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UZTX451 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-W3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.38
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JESD-30 代码：R-PSIP-W3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

UZTX451 数据手册

 浏览型号UZTX451的Datasheet PDF文件第2页 
NPN SILICON PLANAR  
ZTX450  
ZTX451  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 2 – MARCH 1994  
FEATURES  
*
*
*
60 Volt VCEO  
1 Amp continuous current  
Ptot= 1 Watt  
C
B
E
E-Line  
TO92 Compatible  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
ZTX450  
60  
ZTX451  
80  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
45  
60  
5
2
1
1
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +200  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
ZTX450  
ZTX451  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
60  
80  
60  
5
V
V
V
IC=100µA  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Sustaining Voltage  
VCEO(sus) 45  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
ICBO  
5
Collector Cut-Off  
Current  
0.1  
V
V
CB=45V  
CB=60V  
µA  
µA  
0.1  
0.1  
Emitter Cut-Off  
Current  
IEBO  
0.1  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
hFE  
0.25  
1.1  
0.35  
1.1  
V
IC=150mA, IB=15mA*  
IC=150mA, IB=15mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
V
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
100  
15  
300  
50  
10  
150  
IC=150mA, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=10V*  
Transition  
Frequency  
fT  
150  
150  
MHz  
pF  
IC=50mA, VCE=10V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
15  
15  
VCB=10V, f=1MHz  
3-175  
12

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