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UZ808

更新时间: 2024-10-30 21:05:15
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional,

UZ808 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.86
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:8.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:10%工作测试电流:75 mA
Base Number Matches:1

UZ808 数据手册

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