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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.87 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 3 Ω | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 最大反向电流： | 100 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 4.55 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 10% | 工作测试电流： | 75 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ809PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ810 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 10%, 3W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ810HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ810HR2 | ETC |
获取价格 |
Power Zeners. 3 Watt |
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| UZ810PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| UZ8110 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ8110E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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| UZ8110-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 100V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional |
|
| UZ8111 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ8111E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 110V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
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