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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.86 | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 1.5 Ω | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 7.5 V |
| 最大反向电流： | 400 µA | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 4.5 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 10% | 工作测试电流： | 175 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NTE5121A | NTE |
类似代替  |
NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt 5% Tolerance |
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| UZ5707 | MICROSEMI |
类似代替 |
POWER ZENERS |
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| UZ707 | MICROSEMI |
功能相似 |
POWER ZENERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ5807E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 7.5V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ5808 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5808-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5809 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5809E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5810 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5812 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5812E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5813 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5813E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 13V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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