5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 5 Ω |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 标称参考电压： | 22 V | 最大反向电流： | 10 µA |
| 反向测试电压： | 15.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 18.7 mV/ °C | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 50 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ5824 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5824E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 24V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5824HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| UZ5827 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5827E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 27V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5830 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5833 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5833E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5836 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
|
| UZ5836E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 36V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
