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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 3 Ω |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 14 V | 最大反向电流： | 20 µA |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 11.2 mV/ °C | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 100 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| UZ5714 | MICROSEMI |
完全替代  |
POWER ZENERS |
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| NTE5129A | NTE |
功能相似 |
NTE5111A thru NTE5166A Zener Diode, 5 Watt 5% Tolerance |
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| UZ714 | MICROSEMI |
功能相似 |
POWER ZENERS |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UZ5814E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 14V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| UZ5815 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5815E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 15V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5815-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5816 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5816E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 16V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
|
| UZ5816-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| UZ5818 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5820 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| UZ5820E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 10%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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