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UTT12P10L-TN3-R

更新时间： 2024-11-24 07:08:55

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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6页	237K
描述
100V, 12A P-CHANNEL POWER MOSFET

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UTT12P10L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	配置：	Single
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	405 ns	最大开启时间（吨）：	95 ns
Base Number Matches：	1

UTT12P10L-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT12P10

Preliminary

Power MOSFET

100V, 12A P-CHANNEL

POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UTT12P10 is a P-channel power MOSFET using UTC’s

TO-252

advanced technology to provide the customers with high switching

speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can

also withstand high energy in the avalanche.

FEATURES

* R_DS(ON)<0.29Ω @ V_GS=-10V, I_D=-12A

* High Switching Speed

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-252

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTT12P10G-TN3-R

D: Drain S: Source

UTT12P10L-TN3-R

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-722.a

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