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UTT12P10L-TN3-T

更新时间： 2024-11-24 19:51:15

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	280K
描述
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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UTT12P10L-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	405 ns
最大开启时间（吨）：	95 ns	Base Number Matches：	1

UTT12P10L-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT12P10

Power MOSFET

100V, 12A P-CHANNEL

POWER MOSFET



DESCRIPTION

The UTC UTT12P10 is a P-channel power MOSFET using UTC’s

advanced technology to provide the customers with high switching

speed, cost-effectiveness and a minimum on-state resistance. It can

also withstand high energy in the avalanche.



FEATURES

* R_DS(ON)<0.2Ω @ V_GS=-10V, I_D=-12A

* High Switching Speed



SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UTT12P10L-TM3-T

UTT12P10G-TM3-T

UTT12P10G-TN3-T

UTT12P10G-TN3-R

TO-251

TO-252

Tube

UTT12P10L-TN3-T

UTT12P10L-TN3-R

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate

D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-722.E

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