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UTT150N06G-TA3-T

更新时间： 2024-11-24 07:08:51

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	191K
描述
150 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTT150N06G-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.15
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	872 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UTT150N06G-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT150N06

Preliminary

Power MOSFET

150 Amps, 60 Volts

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UTT150N06 is an N-channel Power Trench MOSFET,

using UTC’s advanced technology to provide customers with a

minimum on-state resistance and superior switching performance.

The UTC UTT150N06 is generally applied in synchronous

Rectification or DC to DC converter.

FEATURES

* 150A, 60V, R_DS(ON)=3.2mΩ @ V_GS=10V, I_D= 75A

* Low Gate Charge (Typical 102nC)

* High Switching Speed

* High Power and Current Handling Capability

* RoHS Compliant

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220

Packing

Tube

Lead Free

Halogen Free

UTT150N06G-TA3-T

UTT150N06L-TA3-T

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-512.a

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