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UT60N03L-TN3-R

更新时间： 2024-10-15 01:04:51

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6页	247K
描述
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE

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UT60N03L-TN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT60N03L-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT60N03

Power MOSFET

30V, 60A N-CHANNEL LOGIC

LEVEL MOSFET



DESCRIPTION

TO-220

TO-251

This device employs advanced MOSFET technology and features

low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the

overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher

switching frequencies.

TO-252D

TO-252



FEATURES

* R_DS(ON)< 23mΩ @ V_GS=10V, I_D=30A

* R_DS(ON)< 30mΩ @ V_GS=4.5V, I_D=19A

* Low Capacitance

* Low Gate Charge

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified



SYMBOL

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Lead Free

Pin Assignment

Package

Packing

Halogen Free

UT60N03L-TA3-T

UT60N03L-TM3-T

UT60N03G-TA3-T

UT60N03G-TM3-T

UT60N03G-TN3-R

UT60N03G-TND-R

TO-220

TO-251

TO-252

TO-252D

Tube

UT60N03L-TN3-R

Tape Reel

UT60N03L-TND-R

Note: Pin Assignment: G: Gate

D: Drain

S: Source

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-237.E

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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