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UT60N03L-TN3-T

更新时间： 2024-11-23 20:10:19

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友顺 - UTC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	224K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, LEAD FREE PACKAGE-3

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UT60N03L-TN3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT60N03L-TN3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT60N03

Power MOSFET

N-CHANNEL LOGIC LEVEL

MOSFETS 30V, 60A, 0.023Ω

DESCRIPTION

This device employs advanced MOSFET technology and features

low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the

overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher

switching frequencies.

FEATURES

* R_DS(ON)= 14mΩ @V_GS= 10V

* R_DS(ON)= 24mΩ @V_GS= 4.5V

* Low Capacitance

* Low Gate Charge

* Fast Switching Capability

* Avalanche Energy Specified

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT60N03L-TN3-R

UT60N03L-TN3-T

UT60N03G-TN3-R

UT60N03G-TN3-T

TO-252

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-237.B

12 3 4 5

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