Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> UT3N01ZG-AN3-R

UT3N01ZG-AN3-R

更新时间： 2024-01-31 05:15:10

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	156K
描述
N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UT3N01ZG-AN3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	0.15 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT3N01ZG-AN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT3N01Z

Power MOSFET

N CHANNEL SILICON MOSFET

GENERAL-PURPOSE SWITCHING

DEVICE APPLICATIONS

DESCRIPTION

The UT3N01Z uses UTC advanced technology to provide excellent

R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This

device’s general purpose is for switching device applications.

FEATURES

* R_DS(ON)= 3.7Ω @V_GS= 4 V

* Ultra low gate charge ( typical 1.58 nC )

* Low reverse transfer capacitance ( C_RSS= typical 2.3 pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness

* Halogen-Free

SYMBOL

3.Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Ordering Number

Package

Packing

UT3N01ZG-AL3-R

UT3N01ZG-AN3-R

SOT-323

SOT-523

Tape Reel

MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-285.A

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与UT3N01ZG-AN3-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT3N06	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06_11	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-AA3-R	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
UT3N06G-AB3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-AE3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-TA3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
UT3N06G-TM3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET