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UT3N06G-TM3-T

更新时间： 2024-09-27 01:07:15

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
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4页	241K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06G-TM3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1.13 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.13 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT3N06G-TM3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT3N06

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET



DESCRIPTION

The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET

providing very low on-resistance. It has high efficiency and

perfect cost-effectiveness. It can be generally applied in the

commercial and industrial fields.



FEATURES

* Simple drive requirement



SYMBOL

Drain

Gate

Source

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

SOT-89

SOT-23

TO-251

TO-252

Tape Reel

Tube

UT3N06G-AB3-R

UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-TM3-T

UT3N06G-TN3-R

UT3N06L-TM3-T

UT3N06L-TN3-R

Tape Reel

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source



MARKING

SOT-89

SOT-23

TO-251 / TO-252

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R502-366.G

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT3N06G-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06G-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-AE3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-TA3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
UT3N06L-TM3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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