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UT3N06G-TN3-R

更新时间： 2024-01-16 01:28:24

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3N06G-TN3-R 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1.13 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.13 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT3N06G-TN3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT3N06

Preliminary

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing

very low on-resistance. It has high efficiency and perfect

cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial and

industrial fields.

FEATURES

* Simple drive requirement

SYMBOL

Drain

Gate

Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-TN3-R

UT3N06G-TN3-T

UT3N06L-AE3-R

UT3N06L-TN3-R

UT3N06L-TN3-T

SOT-23

TO-252

Tape Reel

Tube

MARKING

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-366.c

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT3N06G-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-AE3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-TA3-T	UTC	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
UT3N06L-TM3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-TN3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT3N06L-TN3-T	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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UT3NN10	UTC	获取价格	DUAL