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| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, MINIATURE, GLASS, A PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT35 | TELEDYNE |
获取价格 |
Thicker Film Tubular type Non-Inductive Resistors for Ultra High Voltage, High Energy |
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| UT35E | ETC |
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ASIC |
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| UT35ER | ETC |
获取价格 |
ASIC |
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| UT35N06 | UTC |
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N-CH |
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| UT35N06G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UT35N06L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| UT361 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
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| UT361E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| UT362 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS |
|
| UT362E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode |
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