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UT3400G-AE3-R

更新时间： 2024-01-01 07:13:18

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描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UT3400G-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.68
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.8 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT3400G-AE3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT3400

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UT3400 is an N-ch enhancement MOSFET providing

the customers with perfect R_DS(ON)and low gate charge. This device

can be operated with 2.5V low gate voltage.

The UTC UT3400 is optimized for applications, such as a load

switch or in PWM.

FEATURES

* V_DS(V)=30V

* I_D=5.8 A

* R_DS(ON)<28mΩ @V_GS=10V

R_DS(ON)<33mΩ @V_GS=4.5V

R_DS(ON)<52mΩ @V_GS=2.5V

* Halogen Free

SYMBOL

(3) Drain

2. Gate

(1) Source

ORDERING INFORMATION

Pin Assignment

Ordering Number

UT3400G-AE3-R

Package

SOT-23

Packing

Tape Reel

MARKING

340G

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-371.A

12 3

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与UT3400G-AE3-R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT3400-H	UTC	获取价格	N-CH
UT3401	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401_09	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401_15	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET
UT3401-AE3-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401G-AE3-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401L-AE3-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401Z	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT3401Z-AE3-R	UTC	获取价格	Transistor
UT3401ZG-AE3-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE