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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 60 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UT2060E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, |
|
| UT2080 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, |
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| UT2080E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, Silicon, |
|
| UT20ER | ETC |
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ASIC |
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| UT20N03 | UTC |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT20N03_15 | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| UT20N03G-K08-5060-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| UT20N03G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
|
| UT20N03L-TN3-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| UT20N03L-TN3-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
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