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US3GBF

更新时间： 2024-01-17 14:33:55
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 390K
描述
3.0A patch fast recovery diode 400V SMBF series

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US3GBF 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.31
应用：ULTRA FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.075 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL

US3GBF 数据手册

 浏览型号US3GBF的Datasheet PDF文件第2页 
US3ABF - US3MBF  
SURFACE MOUNT ULTRA FAST RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V  
CURRENT: 3.0 A  
Features  
!
!
!
!
!
!
Glass Passivated Die Construction  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Low Power Loss  
B
Ultra-Fast Recovery Time  
Plastic Case Material has UL Flammability  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
C
E
Classification Rating 94V-O  
SMBF  
Dim Min Max Typ  
Mechanical Data  
A
B
C
D
E
H
L
5.45 5.55 5.50  
4.27 4.33 4.30  
3.57 3.63 3.60  
1.32 1.38 1.35  
1.96 2.00 1.98  
!
!
Case:SMBF , Molded Plastic  
D
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
H
L
!
!
!
0.021 0.20  
0.019  
0.73 0.77 0.75  
All Dimensions in mm  
E
Weight: 0.0018 ounces,0.05grams  
A
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Symbol  
Characteristic  
US3BBF  
Unit  
US3ABF  
US3DBF US3GBF US3JBF US3KBF US3MBF  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
RRM  
RMS  
V
100  
1000  
Maximum DC blocking voltage  
V
DC  
Maximum average forward rectified current  
I
(AV)  
3.0  
A
0.375”(9.5mm) lead length at TA=55 C  
Peak forward surge current  
I
FSM  
100.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
A
VF  
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A  
1.30  
1.0  
1.70  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
Maximum reverse recovery time  
TA=25 C  
5.0  
250.0  
µA  
I
R
TA=100 C  
(NOTE 1)  
ns  
t
rr  
50  
75  
Typical junction capacitance (NOTE 2)  
75  
C
J
pF  
C/W  
C
Typical thermal resistance (NOTE 3)  
Operating junction and storage temperature range  
θ
JL  
R
15.0  
TJ,TSTG  
-65 to +150  
Note:1.Reverse recovery condition I  
F=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A  
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3.Thermal resistance from junction to lead and from junction to ambient with P.C.B mounted  
on 0.3 x 0.3" (8.0 x 8.0 mm) Copper pad area  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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