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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 4 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD45V128821G5-A65-9JF | ELPIDA | Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 |
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| UPD45V128821G5-A75-9JF | ETC | Virtual Channel SDRAM |
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| UPD461008LE-10 | NEC | Standard SRAM, 128KX8, 10ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| UPD461008LE-8 | NEC | Standard SRAM, 128KX8, 8ns, BICMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| UPD461016LLE-A10 | ETC | x16 SRAM |
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| UPD461016LLE-A11 | ETC | x16 SRAM |
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