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UPD45D65822G5-A80L-9JF

更新时间: 2024-01-26 15:05:17
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
112页 1758K
描述
Synchronous DRAM, 8MX8, 5ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66

UPD45D65822G5-A80L-9JF 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD45D65822G5-A80L-9JF 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD45V128161G5-A65-9JF ELPIDA Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, MOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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