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UPD44645092F5-E50-FQ1

更新时间: 2024-02-05 16:59:21
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
40页 370K
描述
QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

UPD44645092F5-E50-FQ1 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
针数:165Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最长访问时间:0.45 ns最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PBGA-B165
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:9端子数量:165
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL电源:1.5/1.8,1.8 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:1.7 V
子类别:SRAMs表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

UPD44645092F5-E50-FQ1 数据手册

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μPD44645082, 44645092, 44645182, 44645362  
165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)  
(Top View)  
[μPD44645362]  
2M x 36-bit  
1
2
3
4
5
BW2#  
BW3#  
A
6
7
BW1#  
BW0#  
A
8
9
10  
VSS  
Q17  
Q7  
11  
CQ  
Q8  
D8  
D7  
Q6  
Q5  
D5  
ZQ  
D4  
Q3  
Q2  
D2  
D1  
Q0  
TDI  
A
B
C
D
E
F
CQ#  
Q27  
D27  
D28  
Q29  
Q30  
D30  
DLL#  
D31  
Q32  
Q33  
D33  
D34  
Q35  
TDO  
VSS  
A
W#  
K#  
K
R#  
A
Q18  
Q28  
D20  
D29  
Q21  
D22  
VREF  
Q31  
D32  
Q24  
Q34  
D26  
D35  
TCK  
D18  
D19  
Q19  
Q20  
D21  
Q22  
VDDQ  
D23  
Q23  
D24  
D25  
Q25  
Q26  
A
A
A
D17  
D16  
Q16  
Q15  
D14  
Q13  
VDDQ  
D12  
Q12  
D11  
D10  
Q10  
Q9  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
VSS  
A
VSS  
VSS  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VDD  
VSS  
VSS  
A
VSS  
D15  
D6  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VDDQ  
VSS  
Q14  
D13  
VREF  
Q4  
G
H
J
K
L
D3  
Q11  
Q1  
M
N
P
R
VSS  
VSS  
D9  
A
A
C
A
A
D0  
A
A
C#  
A
A
A
TMS  
A
: Address inputs  
: Data inputs  
: Data outputs  
: Read input  
DLL#  
: DLL/PLL disable  
D0 to D35  
Q0 to Q35  
R#  
TMS  
TDI  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Test input  
: IEEE 1149.1 Clock input  
: IEEE 1149.1 Test output  
TCK  
TDO  
VREF  
VDD  
W#  
: Write input  
BW0# to BW3#  
K, K#  
: Byte Write data select  
: Input clock  
: HSTL input reference input  
: Power Supply  
: Power Supply  
: Ground  
C, C#  
: Output clock  
VDDQ  
VSS  
CQ, CQ#  
ZQ  
: Echo clock  
: Output impedance matching  
NC  
: No connection  
Remarks 1. ×××# indicates active LOW signal.  
2. Refer to Package Drawing for the index mark.  
3. 10A is expansion address for 144Mb.  
2A and 10A of this product can also be used as NC.  
Preliminary Data Sheet M18231EJ2V0DS  
6

与UPD44645092F5-E50-FQ1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
UPD44645092F5-E50-FQ1-A NEC QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645094F5-E37-FQ1-A NEC QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645094F5-E37-FQ1-A RENESAS QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44645094F5-E40-FQ1-A RENESAS IC,SYNC SRAM,QDR,8MX9,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC

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UPD44645094F5-E50-FQ1-A RENESAS QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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