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UPD44325084BF5-E50-FQ1-A PDF预览

UPD44325084BF5-E50-FQ1-A

更新时间： 2024-10-14 14:45:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 440K
描述
4MX8 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44325084BF5-E50-FQ1-A 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LBGA, BGA165,11X15,40
针数：165Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77Is Samacsys：N
最长访问时间：0.45 ns最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：SEPARATEJESD-30 代码：R-PBGA-B165
长度：17 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：QDR SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：165
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装等效代码：BGA165,11X15,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL电源：1.5/1.8,1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.46 mm
最大待机电流：0.35 A最小待机电流：1.7 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.41 mA
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM宽度：15 mm
Base Number Matches：1

UPD44325084BF5-E50-FQ1-A 数据手册

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Datasheet  
μPD44325084B  
μPD44325094B  
μPD44325184B  
μPD44325364B  
R10DS0039EJ0200  
Rev.2.00  
September 12, 2011  
36M-BIT QDRTM II SRAM  
4-WORD BURST OPERATION  
Description  
The μPD44325084B is a 4,194,304-word by 8-bit, the μPD44325094B is a 4,194,304-word by 9-bit, the  
μPD44325184B is a 2,097,152-word by 18-bit and the μPD44325364B is a 1,048,576-word by 36-bit  
synchronous quad data rate static RAM fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-  
transistor memory cell.  
The μPD44325084B, μPD44325094B, μPD44325184B and μPD44325364B integrate unique synchronous  
peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are  
latched on the positive edge of K and K#. These products are suitable for application which require  
synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.  
These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.  
Features  
• 1.8 ± 0.1 V power supply  
• 165-pin PLASTIC BGA (15 x 17)  
• HSTL interface  
• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling  
• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions  
• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation  
• Four-tick burst for reduced address frequency  
• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only  
• Two output clocks (C and C#) for precise flight time  
and clock skew matching-clock and data delivered together to receiving device  
• Internally self-timed write control  
• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 20 μs after clock is resumed.  
• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)  
• Fast clock cycle time : 3.3 ns (300 MHz) , 3.5 ns (287MHz) , 4.0 ns (250 MHz) , 5.0 ns (200 MHz)  
• Simple control logic for easy depth expansion  
• JTAG 1149.1 compatible test access port  
R10DS0039EJ0200 Rev.2.00  
September 12, 2011  
Page 1 of 39  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD44325084BF5-E50Y-FQ1 RENESAS

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 		4MX8 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44325084F5-E33-EQ2 NEC

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 		36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
UPD44325084F5-E40-EQ2 NEC

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 		36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
UPD44325084F5-E50-EQ2 NEC

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 		36M-BIT QDRII SRAM 4-WORD BURST OPERATION
UPD44325092BF5-E33-FQ1 RENESAS

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 		4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
UPD44325092BF5-E33-FQ1-A RENESAS

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 		4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
UPD44325092BF5-E33Y-FQ1 RENESAS

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 		4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
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 		4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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