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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 针数： | 165 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 167 MHz | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 端子数量： | 165 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 1MX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.15 A | 最小待机电流： | 1.7 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.28 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD44164362AF5-E33-EQ2 | NEC | DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44164362AF5-E33-EQ2-A | NEC | DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44164362AF5-E40-EQ2 | NEC | DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44164362AF5-E40-EQ2-A | NEC | DDR SRAM, 512KX36, CMOS, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44164362AF5-E50-EQ2-A | RENESAS | 512KX36 DDR SRAM, PBGA165, 13 X 5 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44164362F5-E30-EQ1 | RENESAS | DDR SRAM, 512KX36, 0.27ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, FBGA-165 |
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