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UPD434000G5-10L

更新时间: 2024-11-30 20:12:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

UPD434000G5-10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最长访问时间:100 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD434000G5-10L 数据手册

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