Datasheet > UPD4216800LG5-A80

UPD4216800LG5-A80

更新时间： 2024-01-14 01:16:30

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	917K
描述
3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPD4216800LG5-A80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...22

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD4216800LG5-A80-7JD	NEC	Fast Page DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28	获取价格
UPD4216800LG5M-A60	ETC	x8 Fast Page Mode DRAM	获取价格
UPD4216800LG5M-A70	NEC	Fast Page DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28	获取价格
UPD4216800LG5M-A80	NEC	Fast Page DRAM, 2MX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28	获取价格
UPD4216800LLE-A50	NEC	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28	获取价格
UPD4216800LLE-A60	NEC	3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2 M-WORD BY 8-BIT, FAST PAGE MODE	获取价格