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Datasheet > 存储 > MASK ROM> UPD23C128080BLGY-XXX-MJH
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UPD23C128080BLGY-XXX-MJH

更新时间： 2024-11-05 11:47:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路光电二极管有原始数据的样本ROM
页数 文件大小 规格书
24页 264K
描述
128M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 16M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 8M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE) PAGE ACCESS MODE

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UPD23C128080BLGY-XXX-MJH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：16.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：-10 °C组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：12 mm
Base Number Matches：1

UPD23C128080BLGY-XXX-MJH 数据手册

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DATA SHEET  
MOS INTEGRATED CIRCUIT  
µPD23C128040BL, 23C128080BL  
128M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM  
16M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 8M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)  
PAGE ACCESS MODE  
Description  
The µPD23C128040BL and µPD23C128080BL are a 134,217,728 bits mask-programmable ROM. The word  
organization is selectable (BYTE mode : 16,777,216 words by 8 bits, WORD mode : 8,388,608 words by 16 bits).  
With 44-pin PLASTIC SOP package products, only WORD mode can be used; it is not possible to switch to BYTE  
mode.  
The active levels of OE (Output Enable Input) can be selected with mask-option.  
The µPD23C128040BL and µPD23C128080BL are packed in 48-pin PLASTIC TSOP(I) and 44-pin PLASTIC SOP.  
Features  
• Word organization  
16,777,216 words by 8 bits (BYTE mode) Note  
8,388,608 words by 16 bits (WORD mode) Note  
Note  
With 44-pin PLASTIC SOP package products, only WORD mode can be used.  
It is not possible to switch to BYTE mode.  
• Page access mode  
BYTE mode : 8 byte random page access (µPD23C128040BL)  
16 byte random page access (µPD23C128080BL)  
WORD mode : 4 word random page access (µPD23C128040BL)  
8 word random page access (µPD23C128080BL)  
• Operating supply voltage : VCC = 2.7 to 3.6 V  
Operating supply  
voltage  
Access time /  
Page access time  
ns (MAX.)  
Power supply current (Active mode)  
mA (MAX.)  
Standby current  
(CMOS level input)  
µA (MAX.)  
VCC  
µPD23C128040BL µPD23C128080BL  
3.0 V 0.3 V  
3.3 V 0.3 V  
120 / 25  
100 / 25  
50  
55  
70  
75  
30  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
The mark  
shows major revised points.  
Document No. M16048EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published February 2003 NS CP (K)  
Printed in Japan  
2002  
1234567...24

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与UPD23C128080BLGY-XXX-MJH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD23C128080BLGY-XXX-MJH-A NEC

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 		MASK ROM, 8MX16, 120ns, MOS, PDSO48, 12 X 18 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48
UPD23C128080BLGY-XXX-MKH NEC

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 		128M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 16M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 8M-WORD BY 16-BIT (WORD MOD
UPD23C128080BLGY-XXX-MKH-A NEC

获取价格

 		暂无描述
UPD23C16000ALGX-XXX ETC

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 		x8 or x16 ROM (Mask Programmable)
UPD23C16000ALGY-XXX-MJ ETC

获取价格

 		x8 or x16 ROM (Mask Programmable)
UPD23C16000ALGY-XXX-MK ETC

获取价格

 		x8 or x16 ROM (Mask Programmable)
UPD23C16000ALGY-XXX-MKH NEC

获取价格

 		MASK ROM, 2MX8, 100ns, MOS, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
UPD23C16000BL NEC

获取价格

 		16M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 2M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 1M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)
UPD23C16000BLGX NEC

获取价格

 		16M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 2M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 1M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)
UPD23C16000BLGX-XXX NEC

获取价格

 		16M-BIT MASK-PROGRAMMABLE ROM 2M-WORD BY 8-BIT (BYTE MODE) / 1M-WORD BY 16-BIT (WORD MODE)

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