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UPA800T-KB

更新时间： 2024-09-27 20:05:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	43K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA800T-KB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	10 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA800T-KB 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA800T

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed

PACKAGE DRAWINGS

to am plify low noise in the VHF band to the UHF band.

(Unit: m m )

2.1±0.1

FEATURES

1.25±0.1

•

Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, V^CE= 1 V, IC = 3 m A

•

High Gain

|S^21e|²= 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 m A

A Mini Mold Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA800T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

PIN CONFIGURATION (Top View )

µPA800T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

3. Collector (Q2)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

1.5

m A

m W

Total Power Dissipation

150 in 1 elem ent

200 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

150

˚C

Tstg

–65 to +150

Note 110 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3634

(O.D. No. ID-9141)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6

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与UPA800T-KB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA800T-KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA800T-T1	NEC	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMEN
UPA800T-T1	RENESAS	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA800T-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA800T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA800T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA800T-T1KB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA801	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA801T	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA801T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY

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