Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA800T-T1-A

UPA800T-T1-A

更新时间： 2024-02-17 00:55:13

品牌	Logo	应用领域
CEL		晶体晶体管光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
9页	193K
描述
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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UPA800T-T1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA800T-T1-A 数据手册

NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

UPA800T

FEATURES

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

•

SMALL PACKAGE STYLE:

2 NE680 Die in a 2 mm x 1.25 mm package

PACKAGE OUTLINE S06

(Top View)

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.9 dB TYP at 2 GHz

2.1 ± 0.1

1.25 ± 0.1

HIGH GAIN:

|S21E|²= 7.5 dB TYP at 2 GHz

EXCELLENT LOW VOLTAGE, LOW CURRENT

PERFORMANCE

0.65

2.0 ± 0.2

0.2 (All Leads)

1.3

DESCRIPTION

NEC's UPA800T is two NPN high frequency silicon epitaxial

transistors encapsulated in an ultra small 6 pin SMT package.

Each transistor is independently mounted and easily config-

ured for either dual transistor or cascode operation. The high

fT, low voltage bias and small size make this device ideally

suited for pager and other hand-held wireless applications.

0.9 ± 0.1

0.7

+0.10

- 0.05

0.15

0 ~ 0.1

PIN OUT

1. Collector Transistor 1

2. Emitter Transistor 1

3. Collector Transistor 2

4. Emitter Transistor 2

5. Base Transistor 2

6. Base Transistor 1

Note:

Pin 3 is identified with a circle on the bottom of the package.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

PACKAGE OUTLINE

UPA800T

S06

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

ICBO

IEBO

Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

µA

1.0

hFE

Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 5 mA

Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 5 mA

120

8.0

0.3

7.5

1.9

200

GHz

5.5

Cre²

|S21E|²

Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

0.7

3.2

5.5

Notes: 1.Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

2.The emitter terminal should be connected to the ground terminal of the 3 terminal capacitance bridge.

For Tape and Reel version use part number UPA800T-T1, 3K per reel..

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA800T-T1KB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA800T-T1KB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sil
UPA800T-T1KB-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-6
UPA801	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA801T	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA801T	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY
UPA801T	RENESAS	获取价格	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
UPA801TC	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA
UPA801TC-A	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKA
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