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UPA603T-A

更新时间： 2024-10-14 21:11:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	63K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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UPA603T-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.34
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	100 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA603T-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA603T

P-CHANNEL MOS FET (6-PIN 2 CIRCUITS)

The µPA603T is a mini-mold device provided with two

PACKAGE DIMENSIONS (in millimeters)

MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and

saves mounting costs.

+0.1

–0.05

+0.1

–0.06

0.32

0.16

FEATURES

•

Two MOS FET circuits in package the same size as

SC-59

0 to 0.1

•

Complement to µPA602T

Automatic mounting supported

0.95

0.8

1.1 to 1.4

1.9

2.9 ±0.2

PIN CONNECTION (Top view)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

SYMBOL

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)*

RATINGS

–50

UNIT

+16

–100

˚C

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

–200

300 (Total)

150

Tch

Tstg

–55 to +150

˚C

* PW ≤ 10 ms, Dury Cycle ≤ 50 %

Document No. G11250EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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