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UNR4119(UN4119)

更新时间： 2024-11-15 23:39:31

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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNR4119(UN4119) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR411xシリーズ (UN411xシリーズ)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

4.0 0.2

2.0 ^0.2

デジタル回路用

0.75 max.

■ 特ꢀ長

• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

• New S型パッケージのため、ラジアルテーピングでの供給が

可能

■ 品

種別抵抗値

(R₁)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

(R₂)



+0.20

–0.10

0.45

•

UNR4110 (UN4110)

UNR4111 (UN4111)

UNR4112 (UN4112)

UNR4113 (UN4113)

UNR4114 (UN4114)

UNR4115 (UN4115)

UNR4116 (UN4116)

UNR4117 (UN4117)

UNR4118 (UN4118)

UNR4119 (UN4119)

UNR411D (UN411D)

UNR411E (UN411E)

UNR411F (UN411F)

UNR411H (UN411H)

UNR411L (UN411L)

UNR411M

+0.20

–0.10

0.45

(2.5) (2.5)

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



0.7 ^0.1

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

NS-B1 Package



内部接続図

5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

R₁

R₂

UNR411N

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

定格

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

−50

コレクタ電流

全許容損失

I_C

−100

300

P_T

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年12月

SJH00018EJD

12 3 4 5 6 7...15

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与UNR4119(UN4119)相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR4119\|UN4119	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR4119S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
UNR411D	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR411D(UN411D)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR411D\|UN411D	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR411DR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1,
UNR411E	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
UNR411E(UN411E)	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNR411E\|UN411E	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR411ER	PANASONIC	获取价格	暂无描述